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  薄膜太陽能電池
  
  說明：薄膜太陽電池可以使用在價格低廉的玻璃、塑膠、陶瓷、石墨，金屬片等不同材料當基板來製造，形成可產生電壓的薄膜厚度僅需數μm，因此在同一受光面積之下可較矽晶圓太陽能電池大幅減少原料的用量(厚度可低於矽晶圓太陽能電池90%以上 ...
  
  2025-12-11
  
  瀏覽：879
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  半導體 - 維基百科，自由的百科全書
  
  在摻雜了不同極性雜質的半導體接面處會有一個內建電場（built-in electric field），內建電場和許多半導體元件的操作原理息息相關。除了藉由摻雜的過程永久改變電性外，半導體亦可因為施加於其上的電場改變而動態地變化。
  
  2025-12-14
  
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金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書

日期：2025-12-12

金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ......

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半导体- 维基百科，自由的百科全书

日期：2025-12-11

在絕對零度時，材料內電子的最高能量即為費米能階，當溫度高於絕對零度時，費米能 .... 圖中也有費米能階，半導體的本征費米能階（Intrinsic Fermi level）通常以 E_i ......

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熱電溫差發電晶片 - 天地能源暨溫控器材行- 致冷晶片、致冷片、致冷板、半導體致冷器、半導體制冷器、制冷 ...

日期：2025-12-13

上圖有一片發電晶片，放在鋁製的散熱片之上。散熱片的右前方有個小綠點，它是微直流升壓電路。因為發電晶片沒有 ......

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關鍵字入口網站產品交易訊息免費刊登服務

日期：2025-12-17

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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 先進半導體製程與材料選擇 - Semicondutor Magazine

日期：2025-12-16

圖二：2007年Intel推出以High K Metal Gate的Penryn晶片(45nm)。半導體的三國演義值得注意的是，IBM不僅將移轉45nm的技術給晶圓代工的韓國三星(Samsung)及新加坡特許(Chartered Semiconductor)，更將技術賣給了中國的中芯。...

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半導體製程技術

日期：2025-12-14

Introduction to fabricated Integrated Circuits Semiconductor Material and Device Oxidation and Diffusion ......

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Semiconductor Photodetectors - 南台科技大學知識分享平台: EshareInfo

日期：2025-12-16

“電容-電壓”量測(3) ----金-氧-半電容 (MOS Capacitor) MOS C-V 量測分析之主要項目：基板摻雜型態(substrate doping type) ... 計算杜拜電容Cdebye = (2)1/2 s / LD 。計算平帶電容CFB CFB = [Ci Cdebye]/ [Ci + Cdebye] 。由CFB 在C-V曲線中對應出平帶電壓 ......

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