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創新STI蝕刻技術助攻 20奈米製程良率大增 - 學技術 - 新電子科技雜誌
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日期：2025-06-06
事實上，半導體設備商可以脈衝電漿和較低的偏壓頻率，降低深度負載效應。圖3顯示在2MHz固定偏壓功率的操作條件下，以連續波狀式電漿或脈衝電漿進行STI蝕刻的溝槽結構。採用高離子能量搭配較低偏壓頻率(2MHz)的作法，可減少單位晶胞內的 ......看更多
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