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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 次世代邏輯閘極堆疊的high-k蝕刻效能 - Semicondutor Magazine
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日期：2025-06-01
乾式蝕刻對45奈米以下的高效能金屬閘極/高介電常數(high-k)元件是必需的。High-k的濕式蝕刻並不像以SiO 2sub>為主的閘極氧化層一樣能夠輕易地在HF溶液中進行，反而會造成氮化矽上蓋層(cap layer)的侵蝕，以及在閘極的high-k外形(profile)上造成不想要的底 ......看更多
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