search:感應耦合電漿離子蝕刻相關網頁資料

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日期:2024-04-12
半導體製程設備 技術 Semiconductor Technology-Process and Equipment 作 者 楊子明、鍾昌貴、沈志彥、李美儀、吳鴻佑、詹家瑋 出版社別 五南 出版日期 ......
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日期:2024-04-16
2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ......
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日期:2024-04-13
本文先對電漿現象及原理作概述,再針對電漿應用. 到蝕刻、濺鍍及輔助 ... 異,而一般用在PECVD 鍍膜的電漿源其解離率小於1%,近幾年由於對鍍膜要. 求的嚴苛, 如 ......
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日期:2024-04-12
建置在本中心之 STS 感應耦合電漿 離子蝕刻系統,其硬體基本規格如下:上電極線圈為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源,下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源。晶片冷卻方式為背面氦氣冷卻 ......
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日期:2024-04-18
http://www.materialsnet.com.tw 91年1 月 181期 工業材料雜誌 91 材料分析技術專題 ter 形成(圖五)(8),使用高解析度感應耦 合電漿質譜儀可予分離。來自無機酸的背景離子(表二)-可 用其他酸類替代或用不同的樣品前處理方...
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日期:2024-04-16
先鋒科技專業光電量測儀器代理,產品有光譜儀,雷射加工,太陽光模擬器,太陽能電池檢測,光譜式橢圓偏光儀,科研等級CCD,近場光學顯微鏡,光纖雷射,螢光光譜儀,拉曼光譜儀,NIR近紅外光譜儀,特殊雷射氣體,CCD,輝度/色度計,光譜式LED參數量測儀,LED light bar檢測 ......
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日期:2024-04-15
(Dry Etching)又稱為電漿蝕刻(Plasma Etching)且屬於非等向性蝕刻,所以是目前 ... 感應耦合型電漿相較於反應離子蝕刻的腔體構造基本上相同,但前者多感應線圈 ......
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日期:2024-04-17
Editor. Date. SOP. EIS-700 ICP 奈米深蝕刻系統SOP. 1. 沈欣燕2013/11/18. Inductive Coupled Plasma Etching System. 奈米深蝕刻系統. (感應耦合離子電漿) ......