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日期:2025-05-17
2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ......
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日期:2025-05-15
本文先對電漿現象及原理作概述,再針對電漿應用. 到蝕刻、濺鍍及輔助 ... 異,而一般用在PECVD 鍍膜的電漿源其解離率小於1%,近幾年由於對鍍膜要. 求的嚴苛, 如 ......
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日期:2025-05-14
預約此儀器 壹、儀器設備說明 (規格) : 結合感應耦合電漿的高游離能力與磁場式質量分析器的高質量解析度,使其成為一具備快速、高精確及高準確度的微量元素分析利器,絕大部分元素的偵測極限可達 ppt 等級,且有高達 10 9 的線性範圍,特別適合 ......
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日期:2025-05-15
INDUCTIVELY COUPLED PLASMA-MASS SPECTROMETER) 設備規格 服務項目 申請服務時間 申請辦法 收費標準 樣品回件時間 聯絡者及負責人 一、設備規格 Agilent 7500C 型感應耦合電漿質譜儀(ICP-MS),附Autosampler。可與Agilent LC1100型HPLC ......
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日期:2025-05-14
http://www.materialsnet.com.tw 92年9 月 201期 工業材料雜誌 117 檢測技術在奈米科技之應用專題 感應耦合電漿質譜儀在材料 分析的應用 作者:李珠 現職:工研院材料所微結構與特性分析實驗室副研究員...
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日期:2025-05-14
感應耦合電漿光譜儀以L-PAD 的大區域偵測提供充分的波長覆蓋面和高解析度測量.L-PAD 包括所有波長的訊息,感應耦合電漿光譜儀並且同時提供峰頂和背景的強度...
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日期:2025-05-13
感應耦合電漿原子發射光譜法 中華民國102年12月4日環署檢字第1020104884號公告 自中華民國103年3月15日生效 NIEA M104.02C 方法概要 本方法利用同時式(Simultaneous)或連續式(Sequential)感應耦合電漿原子發射光譜儀(Inductively coupled plasma ......
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日期:2025-05-16
(Dry Etching)又稱為電漿蝕刻(Plasma Etching)且屬於非等向性蝕刻,所以是目前 ... 感應耦合型電漿相較於反應離子蝕刻的腔體構造基本上相同,但前者多感應線圈 ......