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![力鼎精密股份有限公司 - 乾式蝕刻(PVD、物理氣相沈積、真空鍍膜、高真空濺鍍、全自動高真空金屬濺鍍設備 ...]()
www.lpitw.com乾式蝕刻 Caprica 200/300 Caprica 是一台全自動化、多腔室的高密度電漿蝕刻系統，Caprica 使用感應耦合式電漿(ICP)產生高密度電漿，同時配備靜電吸附式氦氣冷卻系統(electrostatic chucked helium cooling system)，所以本系統可以在低溫下達成高蝕刻率。瀏覽：471 -
![ASHERN TECHNOLOGY INC. 雅森科技股份有限公司]()
ashern.myweb.hinet.net雅森科技(ASHERN)致力於直流及射頻電漿電源、高週波感應加熱電源、電子束/離子束蒸鍍和濕蝕刻之研發、銷售、維修及應用服務。瀏覽：328
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感應耦合電漿蝕刻的相關公司資訊
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日期：2024-04-26
乾式蝕刻對45奈米以下的高效能金屬閘極/高介電常數(high-k)元件是必需的。High-k的濕式蝕刻並不像以SiO 2sub>為主的閘極氧化層一樣能夠輕易地在HF溶液中進行，反而會造成氮化矽上蓋層(cap layer)的侵蝕，以及在閘極的high-k外形(profile)上造成不想要的底 ......
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日期：2024-04-20
Editor. Date. SOP. EIS-700 ICP 奈米深蝕刻系統SOP. 1. 沈欣燕2013/11/18.
Inductive Coupled Plasma Etching System. 奈米深蝕刻系統. (感應耦合離子電漿) ......
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日期：2024-04-27
2005年12月21日 ... 本中心的感應耦合電漿離子蝕刻製程技術，主要是利用電漿來進行蝕刻，具有較佳的
非等向性蝕刻。感應耦合電漿離子蝕刻(ICP) 為目前矽深蝕刻最 ......
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日期：2024-04-22
2005年12月21日 ... 感應耦合電漿離子蝕刻系統包含非等向性蝕刻、保護製程及等向性蝕刻，Dry
SCREAM 製程技術利用上述特性，只需一道黃光製程及接續的ICP 製程 ......
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日期：2024-04-21
建置在本中心之STS感應耦合電漿離子蝕刻系統，其硬體基本規格如下：上電極線圈
為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源，下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF
......
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日期：2024-04-24
感應耦合式電漿蝕刻技術. 對氮化鎵的蝕刻研究. Study of Inductively Coupled
Plasma Etching on GaN. 指導教授：周武清博士. 研究生：林雅玲. 中華民國九十年六
月 ......
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日期：2024-04-22
感應耦合式電漿蝕刻系統是採用射頻電源注入設計在腔體周圍的電極線圈，藉由電感
耦. 合增加電子的運動距離而在高真空環境下激發出高密度電漿。此機台為乾式深 ......
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日期：2024-04-26
感應耦合式電漿蝕刻系統. (Inductive Couple Plasma Etcher, ICP Etcher). 標準製程
(Standard Recipes). • HAR (High Aspect Ratio) recipe: Etch Rate. ~3um/min....
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