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奈米級互補金屬氧化半導體製程下之強健的靜態隨機存取記憶體設計 ...
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日期：2025-06-06
Abstract: 在先進的奈米級互補金屬氧化半導體(CMOS)製程下之內嵌式靜態隨機存
取記憶體正遭遇良率危機，此乃是由於增加的製程變異導致惡化的記憶胞之靜態電 ......看更多
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