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感應耦合電漿離子蝕刻技術 (I) Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (I)

感應耦合電漿離子蝕刻技術 (I) Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (I)

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日期：2025-11-12
感應耦合電漿離子蝕刻技術 (I) Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (I) 簡介 本中心的感應耦合電漿離子蝕刻製程技術，主要是利用電漿來進行蝕刻，具有較佳的非等向性蝕刻。感應耦合電漿離子蝕刻 (ICP) 為目前矽深蝕刻最主要的技術之一，高深寬比蝕刻製 ......看更多

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