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非晶矽薄膜電晶體結構變化之探討 - National Chung Hsing University Institutional Repository - NCHUIR
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日期：2024-06-01
... 像素電容的電位會與閘極水平脈波變化做同方向的漂移。實驗結果顯示，U型結構的TFT在減少寄生電容Cgs 有較佳的表現。 實驗結果也顯示，T型結構的TFT可以降低通道電場的強度，達到抑制漏電流的目的，LCD畫面閃爍及串音現象(crosstalk)則因此可被改善 ......看更多
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