2.4.1 - 國立中央大學

2.4.1 - 國立中央大學

瀏覽:1236
日期:2025-06-23
本論文針對氧化鉿與砷化銦之電容結構製備與介面缺陷處理作探討。我 ... 低漏電流 特性,利用電導法(Conductance method)在室溫下可得到低介面缺. 陷密度 ... potential solution is to replace the traditional SiO2/Si MOS structure with high-k....看更多