nand flash

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 上個月在大阪舉辦的 SSDM 2011 大會上(Solid State Devices and Materials),日本東大的竹內建教授提出使用旺宏的 3D NAND Flash 技術 + SOI 技術,可以把 NAND Flash 的製程一口氣再微縮到8nm。以往的 Floating Gate...
(圖片來源:Market Wire) 一直以來 NAND Flash 的發展就是朝三個大方向發展:製程微縮 容量提昇 傳輸變快 其中製程微縮方面 SSDM 2011 大會上已經有人提出解決方案了(這裡),在容量方面, 512Gb 的 NAND Flash 也出來一段時間了(不過貴到爆,約美金120元...
 2011年11月11日(神棍節?!)南韓三星半導體在自家舉辦的「2011三星技術大展」上宣布:1x奈米級的NAND Flash已經正式試作成功,同時也展示了該次試作的成果雖然比東芝慢了半年而1x奈米 Flash試作成功所代表的意義,就是:「如果能夠成功量產,那麼未來NAND Flash的成本將會進...