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![函數的定義 (www.powercam.cc)]()
www.powercam.cc標題:函數的定義,作者:Te-Chou Su,分類:國中數學第二冊 (94部編版),屬性:投影片,發佈日期:2008-06-17 09:08:25,函數,定義瀏覽：1025 -
![金屬-氧化物-半導體場效電晶體]()
www.ccut.edu.twPage 1. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基. 礎. 投影片版權屬滄海書局，請勿任意複製!! Page 2. 10.1 兩端點MOS結構. 2. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基礎 ...瀏覽：779
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日期：2024-04-23
能夠證明如果我們定義功函數 為把電子從固體中立即移出到一點所需的最小能量，但是表面電荷分布的效應能夠忽略，僅僅留下表面偶極子分布。如果定義帶來表面兩端勢能差的有效表面偶極子為 ......
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日期：2024-04-24
2006-03-16 23:40:52 補充 蕭特基接觸:當金屬的功函數大於n型半導體的功函數時,半導體的電子會流向金屬,造成蕭特基能障.疑問:為什麼造成蕭特基能障的先決條件是金屬的功函數大於半導體?若功函數的定義是電子跳到無限遠的最低能量,那麼難道電子 ......
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日期：2024-04-24
介紹光電效應時會談到功函數 一般教科書都會說明功函數的定義 3: 舒曼榮譽點數1點 (高中職)張貼:2005-07-13 10:08:57:地點 台灣台北 [回應上一篇] 因為對功函數的概念不是很確定~ 算了....這問題蠻笨~ 不過我找了一下~的確有我想要的東西 ......
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日期：2024-04-20
標題:光電效應-功函數 1:OlivierLo (大學理工科系)張貼:2003-11-14 00:10:00:地點 台灣台北 請問各位先進，功函數〈work function〉的定義為何？以及在光電效應中功函數該如何作定位。 版主謹啟 請儘可能一個討論主題只談一個問題，網友較容易針對問題回應。...
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日期：2024-04-23
定義為功函數差 ms 以p+複晶矽（假設EF=Ev）為閘極： p型基板的功函數差 以n+複晶矽（假設EF=Ec ）為閘極，p型基板： n型基板的功函數差 功函數差 ms（續） 即 ms 即半導體層內無電荷存在 平衡狀態 Vox 平帶狀態 平帶狀態下，假設 氧化 ......
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日期：2024-04-19
如圖 一個理想的位障高(barrier height)可以表示為： qψBn=qψm-qχ 其中: ψm ：為金屬功函數，其定義為電子從費米能階跳到真空能 階所需要的能量 χ ：為半導體之電子親和力(electron affinity) ，也就是傳導帶 邊界與真空階之位能差 q ：為電子 ......
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日期：2024-04-21
... ψm ：為金屬功函數，其定義為電子從費米能階跳到真空能 階所需要的能? χ ：為半導體之電子親和力(electron affinity)，也就是傳導帶 邊界與真空階之位能差 q ：為電子電荷 然而金屬與p 型半導體的理想接觸位障高度可以表示下面式子： qψBp=Eg ......
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日期：2024-04-19
金屬閘極的核心部份也可能是TIL本身。因為這一層中包含了和後閘極層相同的功函數金屬，也許其邊緣可定義金屬閘極長度。但不幸的是，TIL層的邊緣差不多對準其上的bird's beak，因此這個測量點的選擇對於所獲得的LG ......
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