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  OLED製程介紹與應用 - 《半導體科技．先進封裝與測試》雜誌
  
  ... 錸寶科技公司是少數同時發展OLED和PLED的公司。在本文中，主要介紹小分子OLED，首先將會介紹OLED原理，其次介紹相關關鍵製程，最後會介紹目前OLED ...
  
  2024-04-20
  
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- ethesys.isu.edu.tw
  
  義守大學
  
  摻雜以何種方式為最佳，最後加上一層電洞阻擋層來提升元件效率。電洞注入材料為m-MTDATA，電洞阻擋層為Bphen，當F4-TCNQ 摻雜濃度為1%，摻雜區域位於電洞注入層中間，電洞阻擋層厚度為12.5A、時，元件特性最佳。元件結構如下: ITO/m-MTDATA、 ...
  
  2024-04-20
  
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第一章 - 南台科技大學知識分享平台: EshareInfo

日期：2024-04-18

結果與討論 4.1. 4 3%Ni ITO功函數觀察由功函數的量測結果顯示，在純ITO膜使用UV臭氧(UV Ozone)表面處理後，功函數可達到5.15eV左右，而3%Ni-ITO膜的功函數可達到5.85eV，附錄1為AC-2之功函數能譜圖。功函數的改善有助於降低ITO/CuPc間的位能障，進而 ......

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功函數 - 維基百科，自由的百科全書

日期：2024-04-23

功函數（又稱功函、逸出功，英語：Work function）是指要使一粒電子立即從固體表面中逸出，所必須提供的最小能量（通常以電子伏特為單位）。這裡「立即」一詞表示最終電子位置從原子尺度上遠離表面但從微觀尺度上依然靠近固體。功函數是金屬的 ......

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結果與討論 - 南台科技大學知識分享平台: EshareInfo

日期：2024-04-22

1 結果與討論 4.1.4 3%Ni ITO 功函數觀察由功函數的量測結果顯示，在純 ITO 膜使用UV 臭氧(UV Ozone) 表面處理後，功函數可達到5.15eV 左右，而 3%Ni-ITO 膜的功函數可達到 5.85eV ，附錄 1 為AC-2 之功函數能譜圖。功函數的改善有助於降低 ITO/CuPc 間的 ......

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利用鎳摻雜銦錫氧化物（ITO）陽極提高有機發光二極體（OLED）注入效率的結構及其方法

日期：2024-04-24

Ni掺雜ITO陽極與OLED結構本專利是一種利用鎳摻雜銦錫氧化物（ITO）陽極提高有機發光二極體（OLED）注入效率的結構及其方法，該方法以濺鍍的方式，使ITO基板之陽極表面形成有Ni摻雜在上；藉此，ITO陽極之表面功函數可提高，致可大幅降低ITO陽極與電洞 ......

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功函數差 - 機械工程師

日期：2024-04-21

*用Fowler-Nordheim公式測定ITO功函數的研究 Study of Work Functi.. 【簡介】通過製備雙邊註入型單載流子器件ITO/TPD(NPB)/Cu,運用Fowler-Nordheim(F-N)公式變換,消除了載流子有效質量和器件厚度因素的影響,提高了測量的精度,簡單準確地測定了ITO的功 ......

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