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![功函數 - 維基百科，自由的百科全書]()
zh.wikipedia.org能夠證明如果我們定義功函數 為把電子從固體中立即移出到一點所需的最小能量，但是表面電荷分布的效應能夠忽略，僅僅留下表面偶極子分布。如果定義帶來表面兩端勢能差的有效表面偶極子為 ...瀏覽：1390 -
![蕭基接觸的barrier high - 南台科技大學知識分享平台: EshareInfo]()
eshare.stust.edu.tw如圖 一個理想的位障高(barrier height)可以表示為： qψBn=qψm-qχ 其中: ψm ：為金屬功函數，其定義為電子從費米能階跳到真空能 階所需要的能量 χ ：為半導體之電子親和力(electron affinity) ，也就是傳導帶 邊界與真空階之位能差 q ：為電子 ...瀏覽：991
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日期：2024-04-23
整理可得：. 定義為功函數差ms. 功函數差ms（續）. 以p+複晶矽（假設EF=Ev）為閘極：. p型基板的功函數差....
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2006年3月16日 - 還是我對功函數的定義有問題?(我的認知:功函數是電子從費米能階跳到導電帶的最低臨界 ......
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... 其中ΦM 代表金屬的功函數(work function)，功函數的定義為該物質的費米能階( Fermi level)到真空能階....
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2012年9月7日 - 同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功 函数。...
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金屬功函數##metal work function ... === 金屬功函數 的機械專業英語參考釋義 === *metal work function === 金屬功函數 相關資訊 === *金屬功函數表....
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日期：2024-04-21
當一個功函數qψm的金屬與功函數qψs 的半導體接觸將會發生電 荷轉換直到費米能階成一直線為止 (圖5-40)。例如，當ψm>ψs時，在 接觸以前半導體的費米能階剛開始時高於金屬的費米能階。但為了使兩者 ......
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