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日期:2025-12-15
... ,MG),以做為未來的效能提昇之用。而實現金屬閘極的一個關鍵挑戰,是如何選擇具有合適功函數(workfunction)的金屬。如何做出正確的選擇是很關鍵的,因為閘極的有效功函數(effective workfunction)(因此也是MOSFET臨界電壓) ......
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日期:2025-12-13
... 層區域產生重疊和內混效應,以影響閘極功函數和介電層等效氧化層厚度(EOT)。最後,儘管金屬功函數強烈地受高介電層組成所影響,這傳統方法於nMOS和pMOS ......
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日期:2025-12-11
"光電效應"牽涉到"功函數" 電子在金屬內部可以很自由的游動,但是卻無法自由的跑出金屬外部, 猶如被限制在圍牆內的自由彈跳的球,由於能量不夠大跳不過高高的圍牆。 但是若拿個物品狠狠『K』它一下,便有機會讓電子(球)跳出金屬(圍牆)外。...
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日期:2025-12-13
Manifestation of Work Function Difference in High Order Gundlach Oscillation 當金屬薄膜的厚度在奈米的尺度時,薄膜的電性結構會受到量子尺寸效應的影響,進而使金屬薄膜的功函數隨厚度而變化。此課題在奈米科學上有其重要性,因為人們可以藉由量測功函數 ......
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日期:2025-12-10
金属功函数,真空中静止电子的能量E0与金属的费米能级(Ef)m之差。它表示一个起始能量为费米能级的电子由金属内部逸出到真空中所需最小能量。它的大小范围从 ......
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日期:2025-12-10
其中qψm 為金屬功函數,qψs 為半導體功函數,qχ為半導體電子親和力,Vbi 為電子. 由半導體導電帶欲進入金屬時將看到的內建電位,qψBn 為金屬功函數與半導體 ......
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日期:2025-12-11
金属功函数表. 暂无评价|0人阅读|0次下载|举报文档. × ± ± ± - - ± § ± ¨ ± ± - ± -±ò × - ± °-§ - § - ± - ± ± - ± - ± - §- - ± ± - - ±° ± - ± § ± §°§ ± óì ÷ - ± - -±ò ......
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日期:2025-12-11
金屬的fermi level 就在材料表面,因此其work function 便是vacuum level. 和fermi level 的 ... 半導體的work function與金屬有別,因為其fermi level 在CB之下,所以其....




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