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日期:2025-12-01
Page 1. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基. 礎. 投影片版權屬滄海書局,請勿任意複製!! Page 2. 10.1 兩端點MOS結構. 2. Chapter 10 金氧半場效電晶體的基礎 ......
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日期:2025-12-07
能夠證明如果我們定義功函數 為把電子從固體中立即移出到一點所需的最小能量,但是表面電荷分布的效應能夠忽略,僅僅留下表面偶極子分布。如果定義帶來表面兩端勢能差的有效表面偶極子為 ......
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日期:2025-12-01
定義為功函數差 ms 以p+複晶矽(假設EF=Ev)為閘極: p型基板的功函數差 以n+複晶矽(假設EF=Ec )為閘極,p型基板: n型基板的功函數差 功函數差 ms(續) 即 ms 即半導體層內無電荷存在 平衡狀態 Vox 平帶狀態 平帶狀態下,假設 氧化 ......
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日期:2025-12-04
整理可得:. 定義為功函數差ms. 功函數差ms(續). 以p+複晶矽(假設EF=Ev)為閘極:. p型基板的功函數差....
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日期:2025-12-06
2006年3月16日 - 還是我對功函數的定義有問題?(我的認知:功函數是電子從費米能階跳到導電帶的最低臨界 ......
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日期:2025-12-08
2012年9月7日 - 同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功 函数。...
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日期:2025-12-02
當一個功函數qψm的金屬與功函數qψs 的半導體接觸將會發生電 荷轉換直到費米能階成一直線為止 (圖5-40)。例如,當ψm>ψs時,在 接觸以前半導體的費米能階剛開始時高於金屬的費米能階。但為了使兩者 ......









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