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![高瞻自然科學教學資源平台]()
highscope.ch.ntu.edu.tw... 基效應只能解釋部份的金屬半導體接觸，一般整流接面可視為蕭特基能障二極體。當一個功函數qφ m 金屬與功函數qφs的半導體接觸將會發生電荷轉換直到費米能階成一直線為止。當q ...瀏覽：1166 -
![n型矽和p型矽的半導體功函數如何求得- Yahoo!奇摩知識+]()
tw.knowledge.yahoo.com2009年4月10日 - 功函數是金屬的重要屬性。功函數的大小通常大概是金屬自由原子電離能的二分之一。瀏覽：1095
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... ，MG)，以做為未來的效能提昇之用。而實現金屬閘極的一個關鍵挑戰，是如何選擇具有合適功函數(workfunction)的金屬。如何做出正確的選擇是很關鍵的，因為閘極的有效功函數(effective workfunction)(因此也是MOSFET臨界電壓) ......
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日期：2025-05-12
... 層區域產生重疊和內混效應，以影響閘極功函數和介電層等效氧化層厚度(EOT)。最後，儘管金屬功函數強烈地受高介電層組成所影響，這傳統方法於nMOS和pMOS ......
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日期：2025-05-09
金屬的fermi level 就在材料表面，因此其work function 便是vacuum level. 和fermi level 的 ... 半導體的work function與金屬有別，因為其fermi level 在CB之下，所以其....
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日期：2025-05-11
我跟老師說當金屬的 功函數大於 半導體的 功函數時,則 半導體的電子會流向金屬形成蕭特基接觸.老師噹我說:金屬的價電帶跟導電帶是重疊的,所以金屬的根本不會有 ......
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日期：2025-05-08
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In metals, work function and ionization energy are the same. The work function ... Work function in semiconductors: Figure 2 shows a schematic energy diagram ......
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