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![電容器的寄生（寄生電容） - 電子VIP]()
www.dianzivip.com... ，但由於布線構之間總是有互容，互感就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容。寄生電容 ...瀏覽：709 -
![第一章 簡 介]()
tea.wfsh.tp.edu.tw故此利用所謂的本地匹配(local matching)的補償技術，讓其寄生電容 的效應降低，甚至轉變成為部份的電感效應，使其達到阻抗匹配的效果，進而改善其反射損失 ...瀏覽：922
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日期：2024-05-09
目錄. 一. 前言. 二. 常見搭載ESD 防護元件的匹配技術. 三. 新式匹配技術與多晶矽二
極體防護元件之搭配. 四. 於2.4-GHz LNA 之應用實現. 五. 測試結果. 六. 總結 ......
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日期：2024-05-07
寄生元件（英語：parasitic element）是電路中電子元件（如電阻、電容及電感）產生的
附加元件，而且多半不是設計時想要的。...
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日期：2024-05-07
能減少寄生電容 ，並「延伸」感測的區域。 應注意近距感測天線與週圍金屬機殼或其他金屬外殼之間的距離，要盡量拉大，讓寄生耦合能減至小。 圖四顯示一個在10公分外以手指或手部接近近距感測天線，所形成的電場分佈。左圖顯示當近距感 ......
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日期：2024-05-10
... 建立、導線連接與極板伸出，以進行平衡導線的繞線長度與電容導線上相對應的via個數和減少由於交錯或重疊的寄生電容。對於多個特定電容所組成的電容陣列此繞線也能自動化實現完成。...
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日期：2024-05-11
這將大幅減少寄生電容和寄生電感對驅動器輸出的影響。從元件接腳到串聯端接電阻的距離不應該超過0.5英吋(見圖4)。圖5是作為多媒體設備中作為輸出驅動器的視訊濾波器/驅動器的典型原理示意圖。...
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日期：2024-05-12
NexFET可達到類似於Trench技術的特定通導電阻，但是相關的寄生電容減少約50%。NexFET裝置採用橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)，並結合垂直電流達到高電流密度。仔細查看結構(圖1) ......
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日期：2024-05-14
... 像素電容的電位會與閘極水平脈波變化做同方向的漂移。實驗結果顯示，U型結構的TFT在減少寄生電容Cgs 有較佳的表現。 實驗結果也顯示，T型結構的TFT可以降低通道電場的強度，達到抑制漏電流的目的，LCD畫面閃爍及串音現象(crosstalk)則因此可被改善 ......
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日期：2024-05-13
... 極電容，模擬閘極和漏極與 PCB 之間耦合的寄生電容。設計人員在佈線時應特別注意，盡量減少此類的寄生電容，才能確保 MOSFET 的最高效能。在此一測量中，190m? 裝置採用 5? 的外部 R G ......
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