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![mos管_EEPW百科]()
baike.eepw.com.cn當 MOS電容的 GATE相對於BACKGATE正偏置時發生的情況。穿過 GATE ...瀏覽：1353 -
![MOS電容的特性能被用來形成MOS管]()
www.ic-ldo.com... P型硅做成的backgate.這個 MOS 電容的電特性能通過把backgate接地， gate接不同的電壓來說明。 MOS電容的 ...瀏覽：577
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性，藉由 電容耦合(coupling)作用來使ESD防護電路或元件 達到更有效率的防護動作。 6.4.1 閘極耦合( Gate ......
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日期：2024-05-30
2011年11月11日 - 2. MOS 的Gate在floating時的VGS為多少時就有可能開始導通? ... MOSFET 輸入端還有高電容的特性,當Gate 級有電壓時會在Gate 電容充電,...
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日期：2024-05-30
他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric（柵介質）。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate.這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同 ......
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日期：2024-06-02
當一個正電壓加在一個n型MOSFET的gate極上的時候，會在gate極下面的通道 ... 電容效應. Delta Confidential. 正是由於有這樣一個electrically-isolated的gate極的 ......
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金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field .... 考慮一個p型的半導體（電洞濃度為NA）形成的MOS電容，當一個正的電壓VGB施加在閘 ......
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2012年11月14日 - 經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源 ... 小電容來調整MOSFET 的di/dt 和dv/dt，去觀察它們如何對EMI 產生影響。...
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日期：2024-05-31
他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同 ......
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日期：2024-05-29
2014年6月7日 - 当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴 ......
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