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        MOSFET的操作原理
        MOSFET的操作原理 p n+ ... MOSFET應該是人類使用最多的電晶體種類，. 特別是 在電腦 ... 結構類似電容，閘極的金屬導體會堆積一些正電荷，而在氧化物絕. 緣層另  ...
        2025-12-07
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        300B - Hacker Audio
        300Bse單端擴大機 5842-300Bse單端擴大機 現代音響曾發表過真空管後擴大機的文章，分別是： 1. 第113期1997/12：Audio Note Kit One單端300B完全套件製作 2. 第2期1983/12：Futterman NCP-1(包括唱頭放大，電源供應器)
        2025-12-06
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    鈺邦科技股份有限公司 - 鈺邦、固態、電容、固態、Polymer cap。
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    日期：2025-12-02
    Copyright © 鈺邦科技股份有限公司 B2B Global-Trade, Global Machine, Global Bicycle, HiGo Shopping. 台灣總部:苗栗縣竹南鎮竹南科學園區科東三路2 & 6號4樓 台北辦公室:11493台北市內湖區內湖路一段68號10樓828室...
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    金氧半電容- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia
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    日期：2025-12-06
    金氧半電容結構可用於分析氧化層內的缺陷特性、氧化層和半導體間的界面品質、 ... 金氧半場效電晶體（MOSFET）、金氧半溫度感測器（MOS Temperature Sensor）和 ......
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    lcx10001-1: SCORMs/AICCs 課程包 - 臺灣師大開放式課程
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    日期：2025-12-08
    四、理想二極體I-V特性(四) 五、實際二極體I-V特性與接面崩潰六、習題演練. 9, 金氧 半場效電晶體(MOSFET) (一) (課程影音). 一、MOS電容器的結構與特性(一)...
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    实验18 MOS结构高频C-V特性测试
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    日期：2025-12-04
    MOS结构高频C-V特性测试. MOS结构电容-电压特性（简称C-V特性）测量是检测 MOS器件制造工艺的重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度N 、 ......
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    金屬-氧化物-半導體場效電晶體
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    日期：2025-12-05
    10.1 兩端點MOS結構. 2. Chapter 10 金氧半場效電晶體 ... 的MOS電容器能帶圖。此 情形下，金屬和半導體 ... 10.2.1 理想的電容－電壓特性. 30. Chapter 10 金氧半場 ......
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    2.4.1 - 國立中央大學
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    日期：2025-12-09
    本論文針對氧化鉿與砷化銦之電容結構製備與介面缺陷處理作探討。我 ... 低漏電流 特性，利用電導法(Conductance method)在室溫下可得到低介面缺. 陷密度 ... potential solution is to replace the traditional SiO2/Si MOS structure with high-k....
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    MOS结构电容-电压特性_百度文库
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    日期：2025-12-09
    2010年5月22日 ... MOS 结构高频C-V 特性测试MOS 结构电容-电压特性（简称C-V 特性）测量是检测 MOS 器件制造工艺的重要手段。它可以方便地确定二氧化硅层 ......
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    MOS电容C-V特性_百度文库
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    日期：2025-12-05
    2011年11月23日 ... MOS结构的C-V特性报告人：王硕2011年11月22日1 MOS结构的C-V特性? MOS 电容结构的能带图? 理想MOS电容的C-V特性? 实际MOS电容 ......
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