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![Chapter 7 電漿的基礎原理 - 義守大學 I-Shou University]()
www.isu.edu.tw電漿的基礎原理 2 目標 • 列出至少三種用到電漿的半導體製程 • 列出電漿中的主要三種碰撞 • 說明平均自由路徑 • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程 • 列出兩 ...瀏覽：1081 -
![電漿輔助化學氣相沉積(PECVD) - 駿佳科技首頁]()
www.junjia.com.tw電漿輔助化學氣相沉積 Model: PECVD-Clip Series Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 規格: 一. 綜合說明: 腔體上蓋板上掀式設計，手動放置晶片, ...瀏覽：1099
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日期：2025-05-27
2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ......
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日期：2025-05-25
#P#微波電漿原理 及發展 早於50年代，即有人嘗試，利用微波來產生電漿，當時之設計非常簡單，由於工業界對微波電漿設備之需求，而演變至今多種複雜不同之設計 ......
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日期：2025-05-24
兩性離子共聚單體與與氮-異丙基丙烯醯胺的水凝膠探討 大同公司 E10207-T11-081 執行期間：2013-07-01 ~ 2014-06-30 冷電漿聚合研製多層光學薄膜 國科會 NSC: 101-2923-E-036-001-MY3 執行期間：2012-01-01 ~ 2014-12-31 利用電漿及接枝聚合表面處理奈米金及 ......
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日期：2025-05-27
．電漿熔融設備 ．高精度質量氣氛控制設備 ．氧化鋁奈米粉末設備 ．高真空硬焊爐 ．YAG 製程設備 ．活性碳生產設備 ．咖啡碳生產設備 ．高溫熱壓機 ．耐米碳管設備 ．隧道式連續燒結爐 ．各式箱型燒成爐...
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日期：2025-05-23
中文名稱 電漿輔助化學氣相 沉 積系統 英文名稱 Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) 儀器廠牌型號 Samco 購置年限 1998 年7月 放置地點 固態電子系統大樓 1樓 116實驗室 (TEL：55666) 機台狀況 重要規格...
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日期：2025-05-27
Oxford Plasma Technology: Technology for plasma depostion (PECVD) ... Typical Applications: interlayer dielectric passivation layer optical waveguides mask for ion implantation free standing low stress membranes...
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日期：2025-05-27
9 CVD應用 薄膜 源材料 Si (多晶) SiH 4 (矽烷) 半導體 SiCl 2H 2 (二氯矽烷；DCS) Si (磊晶) SiCl 3H (三氯矽烷；TCS) SiCl 4 (四氯矽烷；Siltet) LPCVD SiH 4, O 2 SiO 2 (玻璃) PECVD SiH 4, N O 介電質 PECVD Si(OC 2H 5) 4 (四乙氧基矽 ......
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日期：2025-05-23
國立清華大學研究中心 ... 薄膜鍍製 電子鎗真空蒸鍍系統（E-Gun System） 電漿輔助化學氣相沈積系統 AST（PECVD System ） 電漿輔助化學氣相沈積系統 SAMCO （ PECVD System）...
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