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日期：2025-05-26
閘極氧化層崩潰電壓的下降會使得金氧半場效電晶體更容易受到靜電放電(Electrostatic Discharge, ESD)的轟擊而受損，因為靜電放電的本質並未隨著金氧半製程的 ......看更多

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