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28 奈米互補式金氧半金屬閘極製程高壓金氧半場效電晶體
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日期：2025-06-07
本論文提出一個可整合於28奈米互補式金氧半金屬閘極製程的功率元件，稱為浮空場板金氧半場效電晶體(Floating Field Plate MOSFETs)。薄閘極介電層下，藉由浮 ......看更多
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