CMOS_process (1)

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日期:2025-12-13
類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術. 857. 一般性考慮 ... 閘氧化層的成長在製程中是一個非常關鍵的步驟,因為氧. 化層的厚度t ox. 決定電流 ......看更多