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CMOS_process (1)
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日期：2025-06-20
類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術. 857. 一般性考慮 ... 閘氧化層的成長在製程中是一個非常關鍵的步驟，因為氧. 化層的厚度t ox. 決定電流 ......看更多
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