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RFIC中底板寄生參數的關聯和模擬
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日期：2024-05-24
通常，需要利用底板 寄生參數 模擬RFIC設計來精確地表徵實際矽晶片中的高頻效應。整體而言，寄生現象來自晶片的表面層，特別是來自金屬佈線和耦合，或者來自矽晶片底板的RC寄生參數。當運算底板的雜訊注入效應和高頻...看更多
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