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        5DE0_半導體製程設備技術 - 五南文化事業機構首頁
        半導體製程設備 技術 Semiconductor Technology-Process and Equipment 作 者 楊子明、鍾昌貴、沈志彥、李美儀、吳鴻佑、詹家瑋 出版社別 五南 出版日期 ...
        2025-05-13
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        Chapter 7 電漿的基礎原理
        2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ...
        2025-05-15
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    電漿反應器與原理
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    日期：2025-05-14
    本文先對電漿現象及原理作概述，再針對電漿應用. 到蝕刻、濺鍍及輔助 ... 異，而一般用在PECVD 鍍膜的電漿源其解離率小於1%，近幾年由於對鍍膜要. 求的嚴苛， 如 ......
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    電漿源原理與應用之介紹 - 中華民國物理學會 The Physical Society of Republic of China
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    日期：2025-05-15
    物理雙月刊（廿八卷二期）2006 年4 月 440 電漿源原理與應用之介紹 文/張家豪，魏鴻文，翁政輝，柳克強 李安平，寇崇善 吳敏文，曾錦清，蔡文發，鄭國川 摘要 電漿科技已廣泛應用於科學研究及工業製程，成為現代科技的重要指標。...
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    ICP - 國研院儀科中心
    瀏覽：1280
    日期：2025-05-14
    建置在本中心之 STS 感應耦合電漿 離子蝕刻系統，其硬體基本規格如下：上電極線圈為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源，下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源。晶片冷卻方式為背面氦氣冷卻 ......
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    感應耦合電漿質譜儀技術及 其在材料分析上的應用
    瀏覽：1338
    日期：2025-05-15
    http://www.materialsnet.com.tw 91年1 月 181期 工業材料雜誌 91 材料分析技術專題 ter 形成（圖五）(8)，使用高解析度感應耦 合電漿質譜儀可予分離。來自無機酸的背景離子（表二）－可 用其他酸類替代或用不同的樣品前處理方...
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    光電探測器,感應/偵測/感測器 - 先鋒科技
    瀏覽：1220
    日期：2025-05-15
    先鋒科技專業光電量測儀器代理,產品有光譜儀,雷射加工,太陽光模擬器,太陽能電池檢測,光譜式橢圓偏光儀,科研等級CCD,近場光學顯微鏡,光纖雷射,螢光光譜儀,拉曼光譜儀,NIR近紅外光譜儀,特殊雷射氣體,CCD,輝度/色度計,光譜式LED參數量測儀,LED light bar檢測 ......
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    設備名稱Equipment 感應耦合離子電漿(Inductively-Coupled Plasma ...
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    日期：2025-05-13
    （Dry Etching）又稱為電漿蝕刻（Plasma Etching）且屬於非等向性蝕刻，所以是目前 ... 感應耦合型電漿相較於反應離子蝕刻的腔體構造基本上相同，但前者多感應線圈 ......
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    奈米深蝕刻系統(感應耦合離子電漿) - 微奈米科技研究中心 - 國立成功 ...
    瀏覽：1072
    日期：2025-05-15
    Editor. Date. SOP. EIS-700 ICP 奈米深蝕刻系統SOP. 1. 沈欣燕2013/11/18. Inductive Coupled Plasma Etching System. 奈米深蝕刻系統. (感應耦合離子電漿) ......
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    感應耦合電漿離子蝕刻技術(I) Inductively Coupled Plasma Reactive ...
    瀏覽：828
    日期：2025-05-14
    2005年12月21日 ... 本中心的感應耦合電漿離子蝕刻製程技術，主要是利用電漿來進行蝕刻，具有較佳的 非等向性蝕刻。感應耦合電漿離子蝕刻(ICP) 為目前矽深蝕刻最 ......
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