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![陳柏亦中華民國九十七年 - 中原大學]()
thesis.lib.cycu.edu.tw效場，且氧化鋅功函數5.2~5.3 eV 大於其他場發射元件(ex：GaAs、carbon) ，. 重度 摻雜可改變費米能階以及降低半導體功 ...瀏覽：1216 -
![Controlling the work function of ZnO and the energy-level alignment ...]()
journals.aps.org22 Apr 2013 ... We show that the work function ($\Phi${}) of ZnO can be increased by up to 2.8 eV by depositing the ...瀏覽：1005
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investigated the work function of GTCO to promote the great performance on both
conduction and transparency. ZnO ......
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日期：2025-12-16
假設Al的功函數是4.3eV ZnO的功函數是3.5eV 摻雜後摻雜農度決定定了我了功函數
大小(決定費米能階) ......
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14 Mar 2012 ... The influence of Al doped on work function of ZnO thin film with C-axis preferred
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substrates by atomic layer deposition (ALD)....
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一、電子傳導層低功函數氧化鋅之製備. 電子傳導層低功函數氧化鋅之製備. 電子傳導
層低功函數氧化鋅之製備....
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