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thesis.lib.ncu.edu.twAnalysis the characteristic of implant Si and implant N in ZnO and to investigate the ohmic contact with ...瀏覽：1245 -
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thesis.lib.ncu.edu.tw膜(ZnO)的特性研究，氮離子以50keV、100keV、190keV 等不同能量. 分別搭配2×1014 ... 片的功函數(work function)，研究其佈植的種類與其功函數的關. 係、並藉由 ...瀏覽：869
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日期：2024-09-21
2011年4月1日 - 場增加係數β在黑暗中是1700，氧化鋅的功函數是5.3eV。在本論文中，紫外光的照射可以增加氧化鋅的場發射容量。因為氧化鋅是一種直接能隙的 ......
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日期：2024-09-19
氧化鋅(Zinc Oxide，ZnO)是一種金屬氧化物材料，為II-VI 族的n 型寬能隙半導體材料. ，熔點約1975 ... Ag的功函數是4.26 eV，且為化合物半導體中普遍應用之材料。...
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日期：2024-09-15
氧化鋅（zinc oxide; ZnO）材料為一種多用途材料，具有光電導（photoconductive） ... 型氧化鋅薄膜上沉積具有不同功函數的金屬電極，觀察氧化鋅薄膜與金屬接觸之蕭 ......
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日期：2024-09-14
本論文研究以射頻反應式磁控濺鍍法成長氧化鋅摻雜氧化銦(Zinc oxide ...... 具有高的功函數；ITO功函數約4.6eV，而ZIO在In2O3:ZnO=90:10的比例之下，. 功函數 ......
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日期：2024-09-20
上以不添加任何催化劑的方式，磊晶準直的氧化鋅奈米針（ZnO nanoneedle）。 ...... 效場，且氧化鋅功函數5.2~5.3 eV 大於其他場發射元件(ex：GaAs、carbon) ，....
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日期：2024-09-18
2010年11月18日 - 激發ZnO 和MgZnO 發光層測量其光譜特性；使用X-ray 繞射分析(XRD)來 ... Ag 的功函數小於n-ZnO 所以Ag/n-ZnO 為Ohmic Contacsts 如圖(四) ......
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日期：2024-09-14
本論文提出以一種新式調變導電膜功函數的方法，不但可調整薄膜之功函數， ... ZnO material was used for the TCO film based on its wide range of Fermi level ......
![[問題] 摻雜後的功函數- 看板NEMS - 批踢踢實業坊](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_17.jpeg)
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日期：2024-09-21
hi 各位先進!! 想請教各位當金屬摻雜到n半導體內功函數會怎樣變化我舉AZO為例,我摻雜鋁(Al)到氧化鋅(ZnO) 參雜Al為增加電洞氧化鋅的費米能階 ......
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