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[SST精選] 整合雙功函數金屬閘極CMOS - 《半導體科技．先進封裝與 ...
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日期：2025-05-26
為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs，這需要兩個不同金屬閘極，且其功
函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV)， ......看更多
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