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[SST精選] 改善金屬閘極的功函數控制 - 《半導體科技．先進封裝與測試》雜誌
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日期：2025-11-21
與一般所認知的相反，閘極與介電層之間的介面扮演了定義feff的主要角色。這在最近已藉由將與不同介電層(SiO2和HfO2)直接接觸的釕(ruthenium)金屬閘極，曝露在氧化／還原的環境中的研究而加以闡明[3]。 ......看更多
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