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半導體科技.先進封裝與測試雜誌- 整合雙功函數金屬閘極CMOS ...

半導體科技.先進封裝與測試雜誌- 整合雙功函數金屬閘極CMOS ...

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日期：2025-05-23
為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs，這需要兩個不同金屬閘極，且其功 函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV)， ......看更多

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