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奈米通訊。第七卷第二期 1.奈米金氧半電晶體元件技術發展驅勢(II)
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日期：2025-06-27
... ，則可藉由金屬部份的功函數、poly-Si的摻雜濃度與厚度等參數來調整Vth。如此不但擁有金屬閘極低阻值的優點，而且有助於解決金屬閘極應用上閘極/介電層界面控制與調整Vth的困擾(見下面的討論) ......看更多
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