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鎢合金應用於高功函數金屬閘極金氧半電晶體之電特性研究

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日期：2025-06-11
第三部份我們為了得到較佳的元件結構，並使用ALD沉積不同的high-k材料作為介電層，分別為HfO2和HfAlxO(Hf:Al=2:1)，並應用於高功函數金屬閘極。由實驗結果得 ......看更多

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