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高精度電阻、電容形成技術
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日期:2025-06-25
3.1.1 MOS電容的特點MOS電容可用平板電容器的公式近似計算:Cmos=A×εo×εi/t其中A為電容麵積,εo為SiO2的真空介電常數,εi為SiO2的相對介電常數,t為SiO2的厚度。MOS電容與平板電容器還是有一定的差別。...看更多