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CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究__國立清華大學博碩士論文全文影像系統
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日期:2025-05-24
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(Shallow Trench Isolation,STI)與鄰近電晶體 ......看更多