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日期:2025-05-04
選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫. Major Concern: Rate ... 在
處理圖案化蝕刻時,電漿蝕刻逐漸取代濕式蝕刻. 濕式蝕刻. ▫. 化學溶液溶解晶圓 ...
濕式蝕刻的缺點. ▫. 等向性的蝕刻輪廓. ▫....
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日期:2025-05-03
在清洗矽表面的步驟中,氫氟酸(HF)為一極重要的溶劑,其最主要對矽的化. 學特性為HF 會 ... 蝕刻速率,對二氧化矽的蝕刻速率為100~200nm/min,而對矽之蝕刻速率 只. 有~1nm/min[23],故我 ......
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日期:2025-05-07
去除硼玻璃(圖3-1)去含硼氧化矽專用10:1 HF槽專門用來蝕刻含硼成份的氧化矽,如: 經硼擴散 .... 蝕刻速率:約 1000 ~ 3000 Å/min〈僅供參考,通常用目測氣泡生成的速率決定是否蝕刻完畢〉。...
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日期:2025-05-05
研究結果可得,不同遮罩圖形之X方向與Y方向各結構平面的蝕刻率,. 且由側向蝕刻與縱向蝕刻建立蝕刻關係式,並 ..... 圖2.6 氫氟酸(HF)濃度與蝕刻率之變化[29]........... ...................................... 18....
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日期:2025-05-03
BOE對SiO2 的蝕刻速率與SiO2 的製成方式"高度相關"。SiO2膜品質(品質最緻密與電子 ......
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日期:2025-05-01
進行蝕刻,其餘未被BOE 蝕刻之部分則當作TMAH 蝕刻矽時的阻擋層,最後形成開孔 ... 為之,二氧化矽則可以BOE 蝕刻(高溫氧化層以BOE 的蝕刻速率約為1000Å/ min), ... BOE 蝕刻液含氫氟酸(HF),使用應特別小心。...
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日期:2025-05-05
利用氫氟酸來蝕刻二氧化矽層的機制中,決定蝕刻速率的是[HF2-]濃度,若HF濃度保持固定且緩衝溶液 ......
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日期:2025-05-03
圖5-9 BOE 蝕刻完成之圖形. 46. 圖5-10 ... 向蝕刻速率相同的等向性蝕刻(isotropic etching),早期被應用於化學. 性拋光及 ...... 於採用SiO2 為保護材料的製程中,以氫氟酸(HF)作濕蝕刻SiO2....