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Lab2 二氧化矽(SiO 2)遮罩蝕刻 - 國立高雄第一科技大學
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日期：2025-05-29
進行蝕刻，其餘未被BOE 蝕刻之部分則當作TMAH 蝕刻矽時的阻擋層，最後形成開孔 ... 為之，二氧化矽則可以BOE 蝕刻（高溫氧化層以BOE 的蝕刻速率約為1000Å/ min）， ... BOE 蝕刻液含氫氟酸(HF)，使用應特別小心。...看更多
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