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![化學清洗蝕刻區標準操作程序]()
memo.cgu.edu.tw在超大型積體電路(ULSI)製程中，晶圓洗淨之技術及潔淨度. (Cleanliness) ，是影響 晶 ... 污染物對半導體元件電性的影響. 1.瀏覽：1402 -
![BOE ETCHANTS / SBOE ETCHANTS 二氧化矽蝕刻液]()
www.taimax.com.tw2010年10月15日 ... Taiwan Maxwave Co., Ltd. 物質安全資料表 ... 氫氟酸7664-39-3﹔氟化銨12125-01 -8. 四、急救措施.瀏覽：516
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日期：2025-05-26
去除硼玻璃(圖3-1)去含硼氧化矽專用10：1 HF槽專門用來蝕刻含硼成份的氧化矽，如: 經硼擴散 .... 蝕刻速率：約 1000 ~ 3000 Å/min〈僅供參考，通常用目測氣泡生成的速率決定是否蝕刻完畢〉。...
![Re: [問題] BOE蝕刻4um圓的二氧化矽- 看板NEMS - 批踢踢實業坊](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_11.jpeg)
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日期：2025-05-27
BOE對SiO2 的蝕刻速率與SiO2 的製成方式"高度相關"。SiO2膜品質(品質最緻密與電子 ......
瀏覽：719
日期：2025-05-22
常用蝕刻劑. • 氧化膜（SiO. 2. ）：. 氧化膜（. 2. ） – HF. – HF + NH. 4. F. 氮化膜（Si N ）
H PO. • 氮化膜（Si. 3. N. 4. ）：H. 3. PO....
![[問題]BOE蝕刻液- 看板NEMS - 批踢踢實業坊](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_41.jpeg)
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日期：2025-05-23
進行蝕刻，其餘未被BOE 蝕刻之部分則當作TMAH 蝕刻矽時的阻擋層，最後形成開
孔. 的幾何結構。一般矽結構的非等向蝕刻 ......
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日期：2025-05-22
Buffered oxide etch (BOE), also known as buffered HF or BHF, is a wet etchant
used in microfabrication. Its primary use ......
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日期：2025-05-28
2001年10月31日 ... 基本上，在圖案轉換的五個循序步驟，包括反應性離子蝕刻、BOE濕蝕刻、光阻灰化、
光阻全面去除以及 ......
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日期：2025-05-25
圖5-8 電鑄鎳板之截面pattern 之圖形. 43. 圖5-9 BOE 蝕刻完成之圖形. 46. 圖5-10
400cc EDP蝕刻液之concave undercut....
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