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日期:2025-12-16
通用的TFT LCD array結構即是利用5PEP製程得到所需的TFT結構,各大LCD廠為了 ... 等),或者製程別的不同,甚至建廠規劃考量,會導致乾溼蝕刻的比重有很大 ......
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日期:2025-12-20
選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫. Major Concern: Rate ... 在
處理圖案化蝕刻時,電漿蝕刻逐漸取代濕式蝕刻. 濕式蝕刻. ▫. 化學溶液溶解晶圓 ...
濕式蝕刻的缺點. ▫. 等向性的蝕刻輪廓. ▫....
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日期:2025-12-16
乾式蝕刻是以電漿,而非濕式的溶液,來進行薄膜蝕刻的. 一種技術。 ◇乾蝕刻的
優點為非等向性蝕刻。 ◇乾蝕刻的非等向性 ......
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日期:2025-12-19
2010年10月15日 ... Taiwan Maxwave Co., Ltd. 物質安全資料表 ... 氫氟酸7664-39-3﹔氟化銨12125-01
-8. 四、急救措施....
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日期:2025-12-15
BOE對SiO2 的蝕刻速率與SiO2 的製成方式"高度相關"。SiO2膜品質(品質最緻密與電子 ......
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日期:2025-12-18
利用氫氟酸來蝕刻二氧化矽層的機制中,決定蝕刻速率的是[HF2-]濃度,若HF濃度保持固定且緩衝溶液 ......
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日期:2025-12-21
請問氫氟酸對此二種金屬的反應( 鋁Al與金Au )鋁和金是否耐的住氫氟酸,如不行
的話那氫氟酸與金屬的 ......
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日期:2025-12-19
電化學蝕刻形成多孔矽(porous silicon)的基本機. 制如圖一所示[3-5]:矽晶片的表面
在含氫氟酸(HF). 之電解液中,經陽極 ......

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