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![Chapter 9 蝕刻]()
www.isu.edu.tw敘述電漿蝕刻製程的順序. ‧瞭解蝕刻 .... 氧電漿灰化(Oxygen plasma ashing):有機 ..... 光感測器可偵測顏色變化，指出電漿蝕.瀏覽：596 -
![化學清洗蝕刻區標準操作程序]()
memo.cgu.edu.tw在超大型積體電路(ULSI)製程中，晶圓洗淨之技術及潔淨度. (Cleanliness) ，是影響 晶 ... 污染物對半導體元件電性的影響. 1.瀏覽：1266
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日期：2025-10-10
通用的TFT LCD array結構即是利用5PEP製程得到所需的TFT結構，各大LCD廠為了 ... 等），或者製程別的不同，甚至建廠規劃考量，會導致乾溼蝕刻的比重有很大 ......
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日期：2025-10-08
選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫. Major Concern: Rate ... 在
處理圖案化蝕刻時，電漿蝕刻逐漸取代濕式蝕刻. 濕式蝕刻. ▫. 化學溶液溶解晶圓 ...
濕式蝕刻的缺點. ▫. 等向性的蝕刻輪廓. ▫....
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日期：2025-10-07
乾式蝕刻是以電漿，而非濕式的溶液，來進行薄膜蝕刻的. 一種技術。 ◇乾蝕刻的
優點為非等向性蝕刻。 ◇乾蝕刻的非等向性 ......
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日期：2025-10-10
2010年10月15日 ... Taiwan Maxwave Co., Ltd. 物質安全資料表 ... 氫氟酸7664-39-3﹔氟化銨12125-01
-8. 四、急救措施....
![Re: [問題] BOE蝕刻4um圓的二氧化矽- 看板NEMS - 批踢踢實業坊](https://www.iarticlesnet.com/pub/img/site/s_07.jpeg)
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日期：2025-10-10
BOE對SiO2 的蝕刻速率與SiO2 的製成方式"高度相關"。SiO2膜品質(品質最緻密與電子 ......
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日期：2025-10-07
利用氫氟酸來蝕刻二氧化矽層的機制中，決定蝕刻速率的是[HF2-]濃度，若HF濃度保持固定且緩衝溶液 ......
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日期：2025-10-06
請問氫氟酸對此二種金屬的反應( 鋁Al與金Au )鋁和金是否耐的住氫氟酸，如不行
的話那氫氟酸與金屬的 ......
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日期：2025-10-08
電化學蝕刻形成多孔矽(porous silicon)的基本機. 制如圖一所示[3-5]：矽晶片的表面
在含氫氟酸(HF). 之電解液中，經陽極 ......
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