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日期:2024-04-20
2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ......
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日期:2024-04-25
本文先對電漿現象及原理作概述,再針對電漿應用. 到蝕刻、濺鍍及輔助 ... 異,而一般用在PECVD 鍍膜的電漿源其解離率小於1%,近幾年由於對鍍膜要. 求的嚴苛, 如 ......
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日期:2024-04-19
物理雙月刊(廿八卷二期)2006 年4 月 440 電漿源原理與應用之介紹 文/張家豪,魏鴻文,翁政輝,柳克強 李安平,寇崇善 吳敏文,曾錦清,蔡文發,鄭國川 摘要 電漿科技已廣泛應用於科學研究及工業製程,成為現代科技的重要指標。...
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日期:2024-04-24
建置在本中心之 STS 感應耦合電漿 離子蝕刻系統,其硬體基本規格如下:上電極線圈為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源,下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源。晶片冷卻方式為背面氦氣冷卻 ......
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日期:2024-04-22
先鋒科技專業光電量測儀器代理,產品有光譜儀,雷射加工,太陽光模擬器,太陽能電池檢測,光譜式橢圓偏光儀,科研等級CCD,近場光學顯微鏡,光纖雷射,螢光光譜儀,拉曼光譜儀,NIR近紅外光譜儀,特殊雷射氣體,CCD,輝度/色度計,光譜式LED參數量測儀,LED light bar檢測 ......
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日期:2024-04-19
(Dry Etching)又稱為電漿蝕刻(Plasma Etching)且屬於非等向性蝕刻,所以是目前 ... 感應耦合型電漿相較於反應離子蝕刻的腔體構造基本上相同,但前者多感應線圈 ......
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日期:2024-04-19
2005年12月21日 ... 本中心的感應耦合電漿離子蝕刻製程技術,主要是利用電漿來進行蝕刻,具有較佳的 非等向性蝕刻。感應耦合電漿離子蝕刻(ICP) 為目前矽深蝕刻最 ......
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日期:2024-04-26
2005年12月21日 ... 感應耦合電漿離子蝕刻系統包含非等向性蝕刻、保護製程及等向性蝕刻,Dry SCREAM 製程技術利用上述特性,只需一道黃光製程及接續的ICP 製程 ......