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www2.nsysu.edu.tw半導體工業的製造方法是在矽半導體上製造電子元件 (產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密 ... (5)純水設備再生廢水：NaOH、HCl、H 2 O 2。 (6)濕式洗滌塔廢水：洗滌廢氣所含之污染質。 2. IC構裝製造作業主要污染源為切割 ...瀏覽：694 -
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日期：2024-04-24
2. 目標. • 列出至少三種用到電漿的半導體製程. • 列出電漿中的主要三種碰撞. • 說明平均自由路徑. • 說明電漿如何增強蝕刻及CVD 製程. • 列出兩種高密度電漿源 ......
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日期：2024-04-23
電漿基礎原理. 2. 電漿的成分. • 電漿是由中性原子或分子、電子(-）和正電離. 子所構成 ... 非常活潑. • 增進化學反應速率. • 對蝕刻製程和CVD來說非常重要. 8. 電漿 蝕刻....
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日期：2024-04-24
聚二甲基矽氧烷 （Poly（Dimethylsiloxane） 台北市立第一女子高級中學二年級周君穎/台北市立第一女子高級中學化學科詹莉芬老師修改/國立台灣師範大學化學系葉名倉教授責任編輯 簡介 聚二甲基矽氧烷即poly（dimethylsiloxane），簡寫為PDMS，密度為965 kg/m 3 ......
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日期：2024-04-19
軌道結構和能階，因此它們. 的發光頻率也就不同，這說. 明了為何不同的氣體在電漿.
中會呈現出各種不同的顏色. • 發光顏色 ......
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日期：2024-04-22
敘述電漿蝕刻製程的順序. ‧瞭解蝕刻 .... 氧電漿灰化(Oxygen plasma ashing):有機
..... 光感測器可偵測顏色變化，指出電漿蝕....
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日期：2024-04-25
4-1 非晶矽太陽能電池的發展及其演進 4-2 非晶矽太陽能電池的基本結構及其特性 4-3 非晶矽太陽能電池的製程技術 第四章 非晶矽太陽能電池 P 內容大綱 本章節將討論以及探討的內容，主要有三大部分： 非晶矽太陽能電池的發展及其演進 非晶矽 ......
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日期：2024-04-19
Precise grinding & polishing Student: wenjheng Lin Adviser: Liren Tsai 反應式離子蝕刻示意圖 擷取自:NCKU Micro-Nano Technology Center/Southern Region MEMS Center 本文件及文件之內容屬國科會南區微系統研究中心所有，謹供列印閱讀， 未經許可，請勿以 ......
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日期：2024-04-23
可利用10年的時間間隔，回顧半導體製程的歷史： ... 而且1970年代為確立半導體
製造設備產業的時期。 ◇ 本時期所開發的 ......
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