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日期:2025-04-26
Application on 5 PEP (BCE) •Consist of plasma 電漿其實是由諸多離子、電子、分子及原子團(radicals) 所組成且電性為中性的部分離子化氣體。全部分子、原子都解離成離子和電子的狀態稱為完全解 離電漿,而RIE/PE/ICP為弱解離;RIE/PE的解離率約0.01%而...
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日期:2025-05-02
乾式蝕刻的原理. ◇乾式蝕刻是以電漿,而非濕式的溶液,來進行薄膜蝕刻的. 一種技術。 ◇乾蝕刻的優點為非等向性蝕刻。 ◇乾蝕刻的非等向性主要是利用粒子轟擊的 ......
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日期:2025-04-25
選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫. Major Concern: Rate ... 在
處理圖案化蝕刻時,電漿蝕刻逐漸取代濕式蝕刻. 濕式蝕刻. ▫. 化學溶液溶解晶圓 ...
濕式蝕刻的缺點. ▫. 等向性的蝕刻輪廓. ▫....
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日期:2025-04-26
光鋐科技股份有限公司 Epileds Technologies, Inc. EPILEDS - A professional LED chips company you can trust 發光二極體之基本原理 InGaN LED 晶粒製造流程 楊正中 蒸鍍區 黃光區 化學區 蒸鍍區 電子束蒸鍍法(METAL) 利用高能電子射束之動能轉為熔化待鍍材料 ......
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日期:2025-04-30
濕製程 Wet Equipment 乾式電漿蝕刻 / Multi Etching Machine / 垂直電鍍設備 Vertical Plating Equipment 顯影設備 Developing Machine 蝕刻設備 Etching Equipment FPC 溼製程設備 FPC Wet Equipment FPC溼製程設備 FPC Wet Equipment...
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日期:2025-04-28
乾式蝕刻是利用電漿,對底膜就是光阻,產生可進行蝕刻的活性種 。 ◇ 濕式蝕刻則是將晶圓浸入藥水中進行 ......
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日期:2025-04-27
本文內容在探討平面顯示器中高密度電漿源的蝕刻製程開發,其中深層的矽氧. 化層蝕刻以及多晶矽島尺寸 ......
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日期:2025-04-26
測量在蝕刻製程中物質倍從晶圓移除的速率有多快. d = d. 0. - d. 1. (Å) 是厚度改變; t 是蝕刻 .... 數量恰當的化學蝕刻亦可踢除. ▫ 氧電漿灰化製程(Oxygen plasma ashing): 去除有機殘餘物....