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半導體製程技術 - 國立聯合大學
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日期：2025-05-30
測量在蝕刻製程中物質倍從晶圓移除的速率有多快. d = d. 0. - d. 1. (Å) 是厚度改變； t 是蝕刻 .... 數量恰當的化學蝕刻亦可踢除. ▫ 氧電漿灰化製程(Oxygen plasma ashing): 去除有機殘餘物....看更多
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