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日期:2025-06-23
後閘極(gate-last)HKMG製程需要兩個新的化學機械研磨(CMP)製程,兩者對最終閘
極高度(gate height)與表面形 ......
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日期:2025-06-20
根據新修訂ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)技術藍圖,清楚地指出目前半導體製程技術,已經從早期微米以上製程不斷地微縮,經過0.1微米以下,進入到「奈米」世代... 根據新修訂ITRS(International Technology Roadmap for...
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日期:2025-06-23
摩爾定律預測,2015年16奈米的電晶體將邁入量產,然而16奈米目前卻有著難以突破的瓶頸。國家奈米元件實驗室研發的創新技術,讓整個微影製程縮減為只需一個步驟就可以完成,而且不需光罩、光阻,可大幅省下製程成本。...
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日期:2025-06-24
本書不僅在矽晶片製作的相關實例上作描述,也在科學的基礎上作描寫。科學的定理將以許多事例的製程情況下來描述;在大部分的章節裡,模型已經在電腦的模擬程式下來討論,更使用大量的模擬例題來敘述科技運作與顯現不容易被看見的技術方法 ......
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日期:2025-06-21
2010年5月24日 - Author: 吳坤憲, Title: CMOS製程流程圖, Category: 課堂作業, Academic Year: 982, Department: 光電工程系, ViewId: 28583....
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日期:2025-06-24
請問這些製程在cmos裡有什麼用途或作用1. P-epi2. N-well3. Ion Inplantation4. Nitride / pad oxide5. STI6.HDPCVD USG7. CMP USG8.Vt Adjust8.LPCVD ......
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日期:2025-06-20
類比CMOS積體電路設計第十七章互補式金氧半導體製程技術. 857. 一般性考慮 ... 閘氧化層的成長在製程中是一個非常關鍵的步驟,因為氧. 化層的厚度t ox. 決定電流 ......