打破平面IC設計舊思維TSV引領3D IC新浪潮- 學技術- 新電子 ...

打破平面IC設計舊思維TSV引領3D IC新浪潮- 學技術- 新電子 ...

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日期:2025-04-30
不同於過去晶片設計的二維思考模式,矽穿孔(TSV)技術係採三維(3D)堆疊方式進行開發,可縮短每層晶片間的內部連結路徑,提升訊號傳遞速度,並降低雜訊與功耗; ......看更多