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半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 應用於22nm間隙壁自對準雙圖案製程之DUV檢視和缺陷成因分析 - Semicondutor Magazine

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日期：2025-05-03
3>間隙壁自對準雙圖案法（Spacer Self-Aligned Double-Patterning, SADP）提供了一個在雙微影蝕刻（litho-etch-litho-etch）雙圖案微影技術上，減輕依賴 mask1與mask2重疊精準度的解決方案。然而SADP的製程順序帶給缺陷檢測額外的挑戰，因此具有較高的良率 ......看更多

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