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![電漿與電弧原理 - 中興大學教職員工網頁]()
web.nchu.edu.tw2006/6/14: 電漿與電弧原理 電漿與電弧原理 報告人 詹振能 葉姿青 林威豪 。 。 兩極距離 ...瀏覽：746
電漿蝕刻的相關文章
電漿蝕刻的相關公司資訊
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日期：2024-04-23
物理雙月刊（廿八卷二期）2006 年4 月 440 電漿源原理與應用之介紹 文/張家豪，魏鴻文，翁政輝，柳克強 李安平，寇崇善 吳敏文，曾錦清，蔡文發，鄭國川 摘要 電漿科技已廣泛應用於科學研究及工業製程，成為現代科技的重要指標。...
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日期：2024-04-22
建置在本中心之 STS 感應耦合電漿 離子蝕刻系統，其硬體基本規格如下：上電極線圈為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源，下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源。晶片冷卻方式為背面氦氣冷卻 ......
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日期：2024-04-22
奈米球之乾式蝕刻. 實驗目的‖實驗器材‖實驗原理‖實驗方法及步驟‖實驗結果.
一.實驗目的：氧電漿如何蝕刻有機材料....
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日期：2024-04-28
另外在半導封裝及紡織業方面，則使用電漿來清潔及改變材料表面以達到特殊的功能
及效果。在環保方面,電漿火炬可以安全固化焚化爐所產生之高污染灰渣。甚至在 ......
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日期：2024-04-23
（Dry Etching）又稱為電漿蝕刻（Plasma Etching）且屬於非等向性蝕刻，所以是目前 ... 感應耦合型電漿相較於反應離子蝕刻的腔體構造基本上相同，但前者多感應線圈 ......
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日期：2024-04-29
敘述電漿蝕刻製程的順序. ‧瞭解蝕刻 .... 氧電漿灰化(Oxygen plasma ashing):有機
..... 光感測器可偵測顏色變化，指出電漿蝕....
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日期：2024-04-25
化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing，簡稱CMP)製程憑著其全面平坦化之優勢而成為半導體製程中不可或缺的一環，由於在研磨過程中研磨漿消耗量非常之大，成為CMP製程中最主要之耗材。Laredo Associates機構曾於2000年針對CMP研磨漿全球市場作 ......
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日期：2024-04-28
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