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日期:2025-04-24
Si 4.60 – 4.85 Sm 2.7 Sn 4.42 Sr ~2.59 Ta 4.00 – 4.80 Tb 3.00 Te 4.95 Th 3.4 Ti 4.33 Tl ~3.84 U 3.63 – 3.90 V 4.3 W 4.32 – 5.22 Y 3.1 Yb 2.60 Zn 3.63 – 4.9 Zr 4.05 Physical factors that determine the work function [edit] Due to the complications described...
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日期:2025-04-28
功函數(又稱功函、逸出功,英語:Work function)是指要使一粒電子立即從固體表面
中逸出,所必須提供的最小 ......
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日期:2025-04-29
SiO2-Si MOS 二極體. 電特性最接近理想MOS二極體。 與理想二極體最大差異:a.
金屬電極與半導體之功函數差qms不為 ......
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日期:2025-04-27
為了在高摻雜基板上達成n型和p型MOSFETs,這需要兩個不同金屬閘極,且其功
函數是接近Si基座的導電帶(~4.1eV), ......
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日期:2025-04-26
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日期:2025-04-26
(TMSB),源極⁄汲極端之金屬矽化物之厚度(tM)與功函數 ..... and W. Haensch, “
Extreme Scaling with Ultra -Thin Si....
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日期:2025-04-27
片的功函數(work function),研究其佈植的種類與其功函數的關. 係、並藉由薄膜材料
中氧缺位導電機制來合理並成功的解釋 ......