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![由3D IC 製程變化看技術發展挑戰]()
www.google.com.tw1. 2008.8. 半導體智庫. 由3D IC 製程變化看技術發展挑戰. 楊雅嵐. 簡單的說，TSV( Through Silicon Via)是在晶圓上以蝕刻或雷射的方式鑽孔(Via)，再. 將導電材料如 ...瀏覽：583 -
![封裝技術的下一個十年—3D IC - IEK產業情報網]()
www.google.com.tw片(System on a Chip；SoC)技術應運而生，然而在面對不同製程技術、微機電技術、 光 ... 比較3D IC 與傳統IC 製程的差異(圖三)，可知3D IC 的製程著重在三大部分：1.瀏覽：472
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日期：2025-05-15
3D IC是將多顆晶片進行三維空間垂直整合，以因應半導體製程受到電子及材料的
物理極限。 半導體行業追求這個有前途的技術，在許多不同的形式，但它尚未被廣泛
......
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日期：2025-05-21
微影技術(Lithography) 太過困難. ○ 3D 電晶體架構(Transistor Architecture). 尚未
成熟. ○ 製程變異性(Variability) 難以掌握. ○ 散熱問題(Thermal Dissipation)影響 ......
瀏覽：1301
日期：2025-05-17
大環境的變化，3D-IC 先進製程帶來的機會與挑戰，3D-IC 重要技術衍. 生的材料需求
，全球3D-IC 構裝材料市場概況，國內構裝材料技術的發. 展現況以及結論與建議。...
瀏覽：1321
日期：2025-05-15
除了成本不斷下降，促使3D IC逐漸獲得廠商青睞外，TSV製程技術與材料、設備陸續
齊備，有助加快3D IC落實的腳步。此外，3D IC採用的TSV技術，也將改變半導體 ......
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日期：2025-05-19
因應晶片製程邁向10奈米與立體設計架構，半導體廠正全力投入研發矽的替代材料，
讓電晶體在愈趨緊密的前提下加強電洞和電子遷移率；同時也持續擴大高階覆晶 ......
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日期：2025-05-17
與接合後鑽孔等直通矽穿孔技術之製程簡介將會為讀者做詳細地說明。 Abstract ...
Vias (3D IC TSV))、應用趨勢(Application Trend)、製程簡介. (Fabrication ......
瀏覽：997
日期：2025-05-22
品之主要核心架構，製程方式以晶片進行氧化層的成 ... Dimension, 3D）整合系統構
裝展現出3D IC 晶片面積的 ... 然而現今的3D 封裝堆疊構裝皆是以打線接合....
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