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日期:2025-04-26
3> 此文章敘述Sematech公司與紐約州立大學合作進行晶圓堆疊(wafer-to-wafer, WtW)3D互連製程的研究,目的是要建立下一代3D IC及矽穿孔製程的標準及最佳的自動檢測系統。 3> 以今日發展來說,三度空間積體電路...
瀏覽:1408
日期:2025-04-30
雖然許多研究機構紛紛加入3D整合技術的研發,但是都缺乏真正的3D IC設計,這是因為相關供應商所提供3D IC的電子設計自動化(EDA)軟體商用化方案不足以建立 ......
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日期:2025-04-27
不同於過去晶片設計的二維思考模式,矽穿孔(TSV)技術係採三維(3D)堆疊方式進行開發,可縮短每層晶片間的內部連結路徑,提升訊號傳遞速度,並降低雜訊與功耗; ......
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日期:2025-04-25
除了成本不斷下降,促使3D IC逐漸獲得廠商青睞外,TSV製程技術與材料、設備 ... 藉由對製程、設備與材料等環節的分析,幫助讀者釐清設計、製造立體堆疊IC所需的 ......
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日期:2025-04-29
TSV用於3D IC架構的CIS中,可展現許多優勢,其中最重要的是成本較低,因而吸引國內外 ... 有關CIS設計(含TSV)技術的挑戰,包含光學設計、鏡片材料、量測、晶圓級 ......
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日期:2025-05-01
新思科技(Synopsys)稍早前宣佈,針對3.5D及3DIC整合設計,提出了一系列設計工具支援,稱之為3D-IC initiative,可支援多晶片堆疊系統設計,滿足新一代晶片在 ......